Samsung: 128 Гб памяти в каждый смартфон

Скорость передачи данных в режиме последовательного чтения составляет 260 Мб/с. Скорость произвольного чтения и записи - 6000 IOPS и 5000 IOPS соответственно. По этим показателям новые модули eMMC 5.0 в 4 и в 10 раз превосходят "обычные" карты памяти, также они означают, что новинка подходит для развитой мультизадачности и обработки видео высокого разрешения. Отметим, что представленные в конце 2012 года чипы eMMC 5.0 демонстрируют лишь 1500 и 500 IOPS соответственно.

В то время как топовые смартфоны уже комплектуются 128-гигабайтными чипами UFS 2.0 или eMMC 5.1, девайсы средней ценовой категории только-только начали получать такую возможность. Samsung же благодаря этой разработке расширяет свой 3-битный NAND-бизнес и выходит за пределы рынка SSD для дата-центров, серверов и ПК на рынок памяти для мобильных устройств.

Напомним, что месяц назад Samsung начала выпуск чипов eMMC 5.1. Объем накопителей - 16 Гб, 32 Гб и 64 Гб. Скорость передачи данных в режиме последовательного чтения в чипе максимального объема достигает 250 МБ/с, а в режиме последовательной записи — 125 МБ/с. Производительность в режиме произвольного чтения eMMC 5.1 11 000 операций ввода-вывода в секунду, а при произвольной записи - до 13 000 IOPS.

Денис Сущенко, d.sushchenko@corp.mail.ru

Источник: Samsung Tomorrow

https://hi-tech.mail.ru/news/samsung-3-bit-nand-emmc-5-128-gb.html